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　　美國喬治亞理工學院的科學家成功地將多孔硅（Porous Silicon）與絕緣體上硅（Silicon-on-insulator）集成，并在此基礎上實現了微米尺寸大小、探測靈敏度提高6倍的光學傳感器。絕緣體上硅是硅基光電子領域常用的材料體系，在研發(fā)小尺寸、高性能、低成本的光電器件中起著十分關鍵的作用。

　　此次多孔硅與絕緣體上硅的成功集成極大地提高原有材料平臺的表面積，能夠吸附更多的待測樣本分子，從而極大地提高了微型集成光電傳感器的性能。該研究工作由美國國防高級計劃署資助。

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